首款自主研发4G TD-LTE基带芯片问世

2012-05-08 20:30:58来源: 科技日报 
    日前,由合肥东芯通信公司承担的合芜蚌试验区重大科技项目取得重大成果,自主研发出国内4G TD-LTE基带芯片。该芯片从研发到流片仅用了26个月时间,一次流片成功,并取得测试成功。

  该款芯片硅片面积为40mm2,采用65nm工艺,封装后芯片尺寸为11×11mm2,在同等工艺条件下面积最小,内有6000万个晶体管工作,传输速度为下行100兆、上行50兆,支持TDD与FDD的双模终端基带芯片,能同时传输20部高清电影。据介绍,与目前正在推广的3G通信技术相比,4G通信最大的优势是它具有更快的无线通信速度。东芯通信公司研发的4G芯片传输速率是3G的10倍以上,是目前移动电话数据传输速率的1万倍,也是现在普通家庭上网速率的50倍左右。作为4G手机最核心的部件,该款芯片的成功研发为未来4G手机的商业应用奠定了坚实基础。目前,东芯通信公司已和央企普天集团签订合作协议,共同推进4G芯片的产业化。

关键字:问世

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2012/0508/article_4051.html
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