罗姆展出0.47英寸OLED面板及无线供电技术

2011-10-12 20:15:29来源: 互联网

  罗姆开发出了0.47英寸的OLED面板,并在正于幕张Messe会展中心举行的“CEATEC JAPAN 2011”上进行了展示。该面板主要用于数码相机的电子取景器(EVF)和头戴式显示器(HMD)。该公司解说员表示“计划2年后的2013年开始量产”。

  该产品为800×600(SVGA)像素。子像素尺寸为12μm×4μm。色彩表现范围按NTSC规格比为72%,对比度为3万比1。全屏白显示时的耗电量约为175mW。

  该产品为800×600(SVGA)像素。子像素尺寸为12μm×4μm。色彩表现范围按NTSC规格比为72%,对比度为3万比1。全屏白显示时的耗电量约为175mW。

  驱动元件和驱动电路等利用0.13μm的CMOS工艺在Si基板上形成。通过组合白色OLED材料和RGB三色的彩色滤光片,可进行彩色显示。该产品使用低分子白色OLED材料,通过蒸镀法使OLED元件成膜。

无线供电点亮OLED照明和台灯

  罗姆演示了利用SiC功率元件的无线供电系统。采用“电场耦合方式”,发送端的逆变器电路利用了SiC沟道型MOSFET。通过利用SiC沟道型MOSFET,在6.78MHz的高开关频率下,逆变器转换效率高达95%。

  此次展示的系统可供电50W左右。在会场上,罗姆利用无线供电点亮了墙壁上粘贴的OLED照明和桌上的台灯,还为桌上的智能手机内置的充电电池进行了充电。

  不过,此次的展示只是为了宣传SiC功率元件特点的技术展示,罗姆并未涉足无线供电系统业务。罗姆解说员没有介绍无线供电开发企业的详情。但仅从展板内容(解说及图表等)来看,估计电场耦合型的原理与竹中工务店相同。

无线供电系统解说板

演示无线供电系统

利用SiC沟道型MOSFET的逆变器

电场耦合方式的解说板

 

 

关键字:展出  英寸  面板  技术

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2011/1012/article_3188.html
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