英特尔东芝三星联合开发10纳米芯片技术

2010-10-29 19:55:23来源: EEWORLD 关键字:NAND闪存芯片  英特尔  三星

  10月29日消息,据《日经产业新闻》报道,英特尔、东芝和三星电子将联合开发一些技术,在2016年之前把半导体线路宽度缩小到接近10纳米。

  三星电子和东芝是全球第一大和第二大NAND闪存芯片厂商。英特尔是全球最大的芯片厂商。这几家公司很快将建立一个联盟并且将邀请半导体材料和相关领域的大约10家公司加入这个联盟。

  日本日本经济产业省可能会投入50亿日元(6121亿美元)研发资金,占这项研发计划大约100亿日元启动资金的大约一半。其余的资金将来自于这个联盟的成员公司。

  东芝和三星电子计划利用这种技术制造10纳米级的NAND闪存芯片和其它芯片。英特尔将利用这个技术开发速度更快的微处理器

关键字:NAND闪存芯片  英特尔  三星

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2010/1029/article_2170.html
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