三星全球率先推出40纳米级动态存储芯片

2010-04-06 18:45:13来源: 科技日报

      据韩国《中央日报》报道,世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块,并计划从4月开始生产该产品。

  40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄,芯片的集成度和生产效率就越高。

  三星电子在2009年3月实现了50纳米级16GB DRAM模块的批量生产,而仅隔一年就把容量提高两倍,芯片生产效率则提高了60%。最近,高性能服务器要求将存储器容量提高至GB的1000倍,即TB(千千兆)级以上,因此预计40纳米级32GB DRAM的用途将非常大。搭载该半导体的服务器(中型计算机)以及台式、本式个人电脑将比之前产品的主存储量增加一倍。

  三星电子副社长金东守称:“由于使用超节电技术,这次推出的40纳米级32GB DRAM模块的主存储量增加,耗电量降低,为需要大容量存储器的服务器以及个人电脑提供了高性能、低电力的存储解决方案,这点非常有意义。” 比如,使用96GB容量动态存储的服务器,搭载40纳米级4GBDDR3动态内存的产品要比40纳米级2GBDDR3动态内存模型的耗电量最多可减少35%。三星电子计划在上半年内将把在服务器和个人电脑用动态内存中的40纳米级DDR动态内存供应比率提高到90%以上。

  三星电子芯片项目部存储器业务总经理赵秀仁表示:“今年将量产40纳米级32GB DRAM模块,同时,三星电子已开发了与40纳米级相比更先进的30纳米级生产工程技术,下半年将推出30纳米级产品,继续抢占市场。”
-

关键字:三星电子  40纳米级动态存储芯片

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2010/0406/article_1476.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星电子
40纳米级动态存储芯片

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 电视相关 白色家电 数字家庭 PC互联网 数码影像 维修拆解 综合资讯 其他技术 技术产品 应用设计 论坛

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved