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三星量产第二代10nm级DRAM芯片

2017-12-21 11:36:08来源: 中关村在线 关键字:三星  DRAM  10nm

12月20日消息,路透社报道称,三星电子表示,已经开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%,功耗降低15%。

三星在公开声明中称,“第二代10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善,将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。另外将在2018年把多数现有DRAM生产转为10纳米级芯片。该公司在电脑芯片、电视和智能手机行业全球领先。

三星电子记忆芯片部门(Memory Business)总裁Gyoyoung Jin称,这一“积极的”生产扩张,将“适应市场的旺盛需求。”

另外,英特尔以及AMD已经验证通过了第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM内存芯片。

对于普通消费者来说,此举还意味着,老款以及更老的工艺的内存成本和最终价格将有望下探。也就是说内存/SSD的基础产能从明年将得到极大的满足,最终带动价格下探。

关键字:三星  DRAM  10nm

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122142545.html
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