2017年中国将推自主生产3D NAND闪存

2016-10-20 10:15:40来源: cnBeta 关键字:3D  NAND
由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。
 
2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,今年3月份12寸晶圆厂正式动工,整个项目预计投资240亿美元,分为三期建设,现在启动的是第一期,主要目标是生产3D NAND闪存,2018年将启动第二期建设,规划是上DRAM内存芯片,2019年启动第三期建设,主要目标是代工服务,产能也会越来越大,2020年目标是30万片晶圆/月,2030年则是100万片晶圆/月。
 
今年7月份的时候,紫光公司收购了新芯科技公司多数股份,成立了武汉长江存储科技有限公司(简称TRST),紫光公司控股一半多,董事长赵伟国也将担任长江科技公司的董事长,这个项目就变成了紫光公司主导了——当初收购美光的梦想无法实现,收购西数硬盘的事也黄了,不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。
 
Digitimes援引业界消息称,长江存储公司最快2017年底正式推出3D NAND闪存,32层堆栈结构,也就是说明年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。
 
新芯科技现在主要生产NOR闪存,而NAND闪存比NOR闪存技术难度要高,他们的技术来源是飞索半导体(Spansion)公司。考虑到与三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距,国产3D NAND闪存32层堆栈的起点不低了,这几家公司研发多年,第一代3D闪存也不过是24层堆栈,32层堆栈的还算是主流,不过等到明年的时候,48层甚至64层堆栈的3D闪存恐怕也早就问世了。
 

根据之前的报道,新芯科技预计2018年推出48层堆栈的3D闪存,那时候虽然还是追不上最顶级的水平,不过差距应该会缩小很多,国产3D闪存还有追赶的机会。

关键字:3D  NAND

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2016102031187.html
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