美光3D NAND采创新晶圆制程降低成本

2016-08-17 09:56:49来源: Digitimes
美光(Micron)已开始量产商用3D NAND Flash产品,其中Crucial 750 GB SATA 2.5英寸固态硬碟(SSD)是首批产品之一,最大特点为连续读取/写入速度分别可达每秒530 MB与510 MB,功耗则只有一般传统硬碟(HDD)的10%,使用寿命也更长。
 
据EE Times报导,三星电子(Samsung Electronics)于2014年推出32层V-NAND,并在2016年开始量产第三代V-NAND产品,其48层结构以及20纳米的半位元线间距是三星的最大优势。
 
美光则选择创新作法,透过将主动电路(active circuitry)置于存储器阵列下方的设计,成功缩小晶片面积,提升储存密度。加上美光采用尺寸较大的晶圆制程节点(40纳米半位元线间距),成本方面应比三星V-NAND产品更具竞争力。
 
Crucial 750 GB SSD内含8个美光32层3D NAND模块,数量是三星T3 2 TB SSD中48层V-NAND模块数量的2倍。不过三星已能够在每个NAND封装模块内塞入16块面积为99.8平方公厘的芯片,每块芯片的储存容量为32GB,换算每平方公厘的密度为320MB。而美光则是在单一封装模块中塞入2块面积165平方公厘的芯片,同单位的储存密度只有284MB低于三星。
 
据Techinsights结构分析中的图片显示,美光3D NAND晶片的垂直NAND串由38个闸极层构成,其中32个为NAND存储单元,其余6个则可能作为虚设及选择闸极。NAND阵列位于2或3层金属互连与电晶体之上。
 
显然三星与美光都决定将赌注放在3D NAND身上,现在就等着看SK海力士(SK Hynix)以及东芝(Toshiba)这两大竞争对手,能否开发出更具竞争优势的产品了。 

关键字:美光

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2016081729791.html
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