美光3D NAND将杀到!打破三星独霸、大战一触即发

2016-08-11 09:52:18来源: 精实新闻
记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点。
 
TechRadar、ComputerWorld报导,美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND晶片,采48层堆叠,容量为32GB。这款3D NAND将用于中高阶智慧机,支援全新的储存标准UFS2.1。
 
美光宣称,新品效能比前代提升40%,尺寸更是业界最小,美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒,体积缩小30%。新品已送样给行动装置厂,预定今年底广泛出货。
 
美光行动业务部门发言人Dan Bingham说,该公司第二代3D NAND将为64层,研发时程尚未公布。为了支援虚拟实境和串流影片需求,行动装置的记忆体容量不断增加,美光预估,2020年智慧机的内建记忆体或许会有1TB,和电脑差不多。
 
巴伦(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest报告,内容预测3D NAND时代将要到来。报告称,英特尔、美光、SK海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital的3D NAND应该很快就会上市。估计第3、4季3D NAND产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪,东芝和SK海力士则可能在Q4出货。
 
Pacific Crest认为,3D NAND战役中,美光情势有利。该公司的3D NAND尽管层数较少,但是密度高,而且美光无可损失。
 
南韩三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商,不过NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人,宣布领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品,且进行送样。
 
东芝7月27日新闻稿宣布,已研发出64层的3D Flash制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。
 
竞争对手急起直追,三星电子冒冷汗,将豪掷17兆韩圜(150亿美元),研发3D NAND flash和OLED,巩固领先优势。
 
南韩先驱报7月29日报导,三星电子今年下半还有17.2兆韩圜的研发经费,这笔钱会用在哪边?三星高层Lee Myung-jin给出方向,声称由于需求飙升,今年将专注于3D NAND和OLED面板。三星是头一个开发出3D NAND flash业者,目前仍是唯一有能力量产48层3D NAND flash的业者,为防对手抢单,今年三星将在南韩京畿道工厂增加更多产线。

关键字:美光

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2016081129654.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
美光

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved