三星拟扩产3D NAND,明年产能将拉高近4成

2016-06-17 07:45:41来源: 精实新闻
南韩经济日报(Korea Economic Daily)昨(15)日传出,三星电子(Samsung Electronics Co.)打算在明(2017)年底前扩充3D NAND型快闪记忆体产能、总共要斥资25兆韩圜,主要扩产的是位于中国西安的厂房、预定今年稍晚会于该厂新设一条3D NAND生产线,另外还将在南韩平泽市的厂房投入资本。

虽然根据韩国时报报导,三星电子已在15日稍早否认上述消息,宣称3D NAND的投资内容尚未敲定,但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。

barron`s.com 16日报导,J.P.摩根发表研究报告指出,三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开,且该公司还计画把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。

另外,三星也将善用Line 17厂在二楼的空间,于明年投产3D NAND。依据上述假设,J.P.摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片),等于是比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%,并占业界总体产能的12%。

R.W. Baird分析师Tristan Gerra甫于5月31日发表研究报告指出,三星可能会在今年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪记忆体,同时将18奈米制程产能初步拉高。

Gerra认为,下半年NAND的产业市况相当乐观,主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智慧机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说,这会让NAND定价在下半年稳定走扬。
TheStreet.com 5月20日报导,半导体设备业龙头厂商应用材料(Applied Materials Inc.)在财报电话会议上指出,投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪记忆体,估计今年下半年DRAM的资本支出会年减至少25%,NAND则会年增35%。

关键字:3D  NAND

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2016061728721.html
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