SK海力士与东芝和解 提升未来技术发展力

2014-12-30 09:02:14来源: Digitimes

东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术,同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权,取代相互耗损的专利诉讼。

据ET News报导,东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约,并自2011年开始共同开发下一代存储器STT-MRAM。2014年3月因存储器半导体技术外流,东芝向SK海力士提出告诉,要求1.1兆韩元规模的民事赔偿,双方关系因此破裂。

最后SK海力士以支付2.8亿美元,相当诉讼规模27%的和解金与东芝达成协议,撤销诉松。SK海力士半导体部门的专利相互授权合约,与产品供应契约也获得延长。通过这次的全方位合作宣言,双方总算重修旧好。

SK海力士有关人士表示,与东芝进行全方位的合作,不但提升技术竞争力也获得稳定的订单,同时解除潜在经营不确定性。

SK海力士最近存储器业绩亮眼,对未来新技术的主导权也显得越来越有兴趣。目前与东芝共同开发的次世代纳米压印(Nanoimprint Lithography;NIL)技术,是在国际半导体科技蓝图(ITRS)中,被喻为能实现32纳米以下微细制程的新方法。

半导体制程日趋微细化,而NIL正是实现微细图案所必要的次世代制程技术。NIL制程与印章的原理类似,将液态紫外线(UV)感光性树脂涂布在基板之后,以透明模具加压形成图案,再用光源照射将图案固定。

因为没有使用镜片而采用便宜的UV光源,价格竞争力远胜极紫外光(EUV)曝光设备。与目前需耗费钜额投资的制程技术相比,可望实现更经济的量产方式。而SK海力士与东芝若能成功开发NIL技术,商用化后也可望进一步强化存储器产品的成本竞争力。

关键字:SK海力士  东芝

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/1230/article_20163.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
SK海力士
东芝

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved