预测2015年DRAM产业五大趋势

2014-12-10 09:04:21来源: 互联网 关键字:DRAM

2014年是 DRAM 产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智慧型手机持续热销,一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体; TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 预估, 2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%,2015年更有机会突破40%大关。

DRAMeXchange 研究协理郭祚荣表示,拜行动式记忆体需求畅旺所赐,标准型记忆体产出相对减少,反倒让模组价格始终维持在高价水位,2014年4GB模组均价约32美元,标准型记忆体毛利率平均达40%以上。各DRAM厂朝向全面获利的状态,寡占市场格局与需求端的市场变化都将牵动2015年DRAM产业未来发展。

DRAMeXchange 预测 2015年 DRAM 产业五大市场趋势如下:

(1) DRAM成长趋缓但各厂皆以获利为优先

DRAM产业转为寡占市场结构,仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先,谨慎控制产出与产品类别的调整,加上全球智慧型手机持续维持高度成长,亦让产能转向行动式记忆体,挤压到标准型记忆体的产出,让标准型记忆体市场价格维持高价水位,俨然成为DRAM厂的金鸡母,因此在获利方面都交出亮眼的成绩单。DRAMeXchange预估 2015年的DRAM产值将达541亿美元,年成长为16%,为市场稳定成长获利的一年。

(2) 三星与SK海力士皆有新厂完工,视市场需求动态调整产能

三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息,产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上,但DRAMeXchange指出,事实上三星在扩建Line17的同时,Line16 DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片,较大规模的投片将在2016年才会浮现。

整体而言,DRAMeXchange认为由于市场的需求仍会持续成长,工厂只是为未来需求而兴建,只要投片产出是有计划性的,后续价格虽然会逐季下降,但只要制程转进持续进行,DRAM厂获利仍能够保持在现有水位。

(3) 行动式记忆体跃居主流,LPDDR4明年现身

2014年智慧型手机走入平价化,不少高规低价机种在全球市场攻城掠地,让新兴市场掀起一股智慧型手机的换机潮。 郭祚荣表示,在智慧型手机市场不停扩大的同时,2015年行动式记忆体市占也逼近全球市场的40%,相较于标准型记忆体27%的占比,行动式记忆体已跃升全球DRAM市场主流产品。

另一方面,从行动式记忆体做观察,2015年主流规格仍是LPDDR3,产出量达60%以上,而新规格LPDDR4将在明年首度应用在旗舰智慧型手机机种,无论省电机制与时脉更胜LPDDR3,预计2015年市占率将达到15%。

(4) 20nm成为主战场,然而资本支出增加将让制程转进趋缓

韩系DRAM厂25nm制程在2014年下半年已迈入成熟期,无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm制程,三星已进入验证阶段,SK海力士预计在明年第二季初进入市场;相较之下,美光(Micron)目前规划只有华亚科才有20nm制程的标准型记忆体,转进进度较两大韩厂落后,目标2015年底达到80K投片量。

DRAMeXchange表示,由于进入20nm制程需要更多的设备来生产,意味着需要更多的资本支出,然而在获利导向下,各厂20nm制程的转进比重将会趋缓。

(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大关

英特尔(Intel)强势主导与DRAM厂的全力配合下,DDR4记忆体将在伺服器领域率先切入。郭祚荣表示,伺服器记忆体除了稳定性的要求外,近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据JEDEC的规范,DDR4电压值仅有1.2V,未来速度更可高达3200Mhz。而价格部分也正与伺服器用DDR3逐步贴近,DRAMeXchange预计DDR4最快于2015年底取代DDR3,正式成为伺服器市场记忆体主流。

关键字:DRAM

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/1210/article_19773.html
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