三星电子完成20纳米Mobile DRAM正式量产

2014-09-24 08:58:32来源: DIGITIMES 关键字:三星  20纳米  DRAM

    三星电子(Samsung Electronics)在稍早正式量产20奈米Mobile DRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下,随着三星在20奈米时代下画上句点,分析认为,三星将有望可以在2015年前进10奈米时代,拉开与对手的技术差距。

    韩媒edaily指出,三星继稍早3月投产的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM,此次将20奈米制程扩大到Mobile DRAM。采用20奈米制程的产品可以提升30%以上的生产力,而电力消耗量也可以节省10%以上。

    更多而三星透过此次研发20奈米DRAM,将可以大幅减少成本。尤其是从2014年开始,Mobile DRAM需求超越PC用DRAM,三星半导体业绩有望大幅改善。根据朝鲜日报引用市调机构DRAMeXchange资料指出,2014年Moblie DRAM出货量比重,将以36%首度超越PC用DRAM的30%。

    现代证券研究员指出,三星此次研发出的20奈米Mobile DRAM,虽不会大幅改变市占率,但绝对可以改善三星业绩。由于生产力的上升,以同样价格销售时,获利也将大幅提高。

    南韩业界则是一阵看好三星半导体事业,预期在2014年营利将可以来到8兆韩元(约77亿美元)左右,而2015年则有望成长超过9兆韩元。如果能持续维持,三星半导体事业将有望重回2010年营利10兆韩元的光荣时期。

    三星则是计划透过20奈米产品,抢占大容量Mobile DRAM市场。三星记忆体事业部行销团队常务白志浩(音译)自信满满的表示,此次推出的20奈米Mobile DRAM将能称霸高性能Mobile DRAM市场,未来将会搭载在旗舰智慧型手机、平板电脑、穿戴式装置等产品上。

    三星从2006年开始研发50奈米级DRAM后,在2010年进展到30奈米级,2011年时则推进到20奈米级微细制程。edaily指出,三星在2014年正式量产20奈米产品后,极有可能率先进入10奈米级时代。

    随着三星研发出改良型的双图样微影技术(Double Patterning),透过既有设备做好量产10奈米级产品的准备。南韩半导体业界预估,三星将会在2015年研发出10奈米级产品,并在2016年开始投产。

    以此,三星有望拉开与竞争对手的技术差距。SK海力士(SK Hynix)预计在下半年正式量产20奈米中段制程产品,恐怕要等到2015年才有望能成功研发20奈米产品

关键字:三星  20纳米  DRAM

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/0924/article_18550.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:详解DRAM、NAND和RRAM存储器技术
下一篇:扬帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
三星
20纳米
DRAM

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved