IC Insights:NAND与DRAM朝3D发展

2014-08-28 09:11:49来源: 互联网

    随着 DRAMNAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路,IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态,期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图。

    在2014年中期,制造 NAND 快闪记忆体元件的最先进制程技术采用的是20nm以及更小的特征尺寸,而 DRAM 采用的制造技术还不到30nm。根据图1所示的制程技术蓝图显示,在2017年以前,最小特征尺寸为2D (平面)的NAND flash将会过渡到10-12nm,而 DRAM 则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。

    不过,IC Insights坦承,这样的发展态势还无加以定论,因为制造制程节点的定义并不明确,尤其是在企业试图在竞争中取得某种优势时,就很容易受到行销「游戏数字」的影响。


量产NAND flash和DRAM发展蓝图。
(来源:IC Insights)

    为了制造 NAND Flash ,2014年时已经加速量产15nm和16nm NAND 晶片了。三星(Samsung)是第一家最先量产 3D NAND 晶片的公司。该公司在2014年5月宣布开始量产采用32层记忆体单元的 V-NAND Flash 晶片。此外,在2013年,该公司已针对资料中心客户出货基于其第一代24层 V-NAND 技术的固态硬碟(SSD)。

    从 2D 到3D NAND 记忆体全面转型的时机,将视 3D 成为更具成本效益选项之际而定,但这样的情况将会持续一段时间。甚至当达到成本的交叉点时, 2D 和 3D NAND 还可能共存好些年。

    目前业界主要的 DRAM 制造商正以20nm级特征尺寸(20-29nm之间)进行量产制造。

    如同 NAND flash 一样, DRAM 技术也正朝向以垂直方向整合电路的趋势发展。 3D DRAM 解决方案的例子之一是由HMC联盟开发的混合记忆体立方(HMC)。HMC联盟是由美光(Micron)和三星,以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士(SK Hynix)和赛灵思(Xilinx)等开发商共同组成。

关键字:NAND  DRAM

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/0828/article_18102.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
NAND
DRAM

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved