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NAND Flash价格年跌28% 产能竞争加速

2014-08-15 09:32:43来源: DIGITIMES 关键字:NAND  Flash

    NAND Flash市场受到移动装置等需求增加带动,出现迅速成长,然而价格滑落的速度也和出货成长同样迅速。要在市场上生存,主要制造厂之间的生产效能竞争将渐趋激烈。

    韩联社引用HIS iSuppli资料预估,全球NAND Flash出货量在2013~2018年期间,年平均增加41.8%。

    以1GB为基准计算的NAND Flash出货量,2013年为355.07亿颗,2014年增加48.6%至527.51亿颗,2015年预计为766.7亿颗、2016年为1,116.65亿颗、2017年为1,516.6亿颗、2018年为2,036.16亿颗等。

NAND Flash出货量及价格趋势

    NAND Flash市场需求成长快速,然而价格滑落也同样迅速。

    反观NAND Flash价格未来5年间,平均下滑27.7%。以1GB为基准的平均销售价格(ASP)来看,从2013年0.71美元到2014年0.49美元,下滑31.0%,接着2015年0.36美元、2016年0.26美元、2017年0.20美元、2018年0.14美元等,逐年下滑。

    整体NAND Flash的销售额同期间年平均增加3.1%。 2014年将较2013年的250.94亿美元增加2.6%,至257.41亿美元。

    主要制造厂因应需求增加,将扩充生产设备,另一方面,为提升生产效率也必须确保尖端制程技术。和其他半导体产品一样,伴随着NAND Flash的技术发展,价格将持续下滑。要在其中维持竞争力,就必须比其他竞争对手更早导入尖端技术,提升集成度并降低生产成本。

    三星将Cell以3D垂直结构克服传统水平排列的制程瓶颈,并于2013年投入量产。 2014年5月再推出第二代V NAND,从24层堆叠结构提升到32层,接着又推出32层结构的第三代TLC V NAND,巩固技术主导权。

    三星电子(Samsung Electronics)8月初推出生产效能较其他产品高2倍的TLC V NAND,吸引业界目光。三星第1季将平面结构的TLC NAND Flash生产比重提升到60%。

    紧跟在三星之后的东芝(Toshiba)日前决定对三重县四日市工厂执行资本支出,3年间将投资7,000亿日圆(约68.5亿美元)。东芝将在新工厂中生产V NAND产品。目前东芝的TLC生产比重为25%。

    在1987年领先全球研发出NAND Flash的东芝,日前以涉嫌​​偷窃NAND Flash技术为由,对SK海力士(SK Hynix)提出告诉。南韩业界认为,这是东芝牵制SK海力士的策略。

    SK海力士2012年投资2.85兆韩元(约27.6亿美元),在南韩清州建设NAND Flash产线M12,并陆续购并义大利Ideaflash、美国LAMD、台厂银灿eMMC控制器事业部、美国Violin Memory的PCIe事业部、东欧Softeq Development的韧体事业部等,透过购并活动强化NAND Flash事业力量。

    SK海力士预计2014年内完成V NAND和TLC产品研发,并于2015年投入TLC量产。

    2013年购并日系大厂尔必达(Elpida)的美光(Micron),也致力推动NAND Flash事业。美光2013年底将新加坡DRAM场转换为NAND Flash工厂,扩大NAND Flash产量。

    在NAND Flash市占率方面,三星第1季为37.4%居冠,接着是东之31.9%、美光20.1%、SK海力士10.6%。

关键字:NAND  Flash

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/0815/article_17960.html
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