分析师预测2019年MRAM市场可达21亿

2014-04-25 08:26:49来源: 互联网

    市场研究机构 Coughlin Associates 的最新报告预测,磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torque transition,STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。

    Coughlin Associates 的报告指出,因为具备省电与非挥发特性,MRAM/STT MRAM市场营收规模可望由 2013年的1.9亿美元左右,到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。

    因为MRAM能以CMOS逻辑制程生产,使其适合做为嵌入式非挥发性记忆体使用;该种记忆体需要额外的磁性材料层以及专门的生产设备,与生产硬碟机内磁性读写头(magnetic read sensors)的设备类似。Coughlin Associates估计,市场对独立MRAM元件与嵌入式MRAM的需求,将驱动MRAM制造设备市场的成长;该市场规模将由2013年的5,290万美元,在2019年成长至2.463亿美元。

    除了MRAM,Coughlin Associates 的报告还讨论了相变化记忆体、电阻式记忆体(ReRAM)、铁电记忆体(FeRAM)以及碳奈米管等技术;该报告指出,ReRAM也有取代快闪记忆体的潜力,但恐怕还要再过十年才可能发生,至于MRAM取代SRAM与DRAM的情况在接下来几年就会看到,可能早于ReRAM取代快闪记忆体的时程。

关键字:MRAM

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2014/0425/article_17714.html
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