富士通半导体推出全新4 Mbit FRAM产品

2013-11-14 15:04:19来源: EEWORLD 关键字:富士通

可取代SRAM的非挥发性内存,为工业控制及办公自动化提供不需电池的最佳解决方案

上海, 2013年11月14日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容,因此能够应用在工业控制、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备中,取代原有具备高速数据写入功能的SRAM。此产品从2014年1月起开始为客户提供样品。

 


 
图1. MB85R4M2T


FRAM具备非挥发性数据储存功能,即使在电源中断的状况下仍能保护数据,随机存取功能则能高速写入数据。如果在写入数据时遭遇电源临时中断或是停电,FRAM仍能够安全地储存数据,因此即使在电源中断时FRAM还是能够立即储存参数信息并实时记录设备上的数据。

另外,MB85R4M2T无须任何电池即可持续地储存数据,因此有助于发展更小型、更省电的硬件设备,且能降低总成本。其优势包括:

1.减少电路板面积
MB85R4M2T不需要通过电池储存数据,因此能减少50%以上产品中所使用PCB板的内存与相关零件的电路板面积。


2.降低功耗
在主电源关闭的情况下,SRAM将数据保存在内存,其需要消耗约15 µW/秒的电流以保存资料。由于FRAM为非挥发性内存,在电力关闭情况下不会耗费任何电力。


3.降低总成本
移除电池不仅降低零件成本,也免除了所有电池更换或维修相关的周期性成本,能大幅减低开发及营运的总成本。

富士通半导体将持续为客户提供内存产品及解决方案并协助客户提高产品能效,也期望能有效降低终端产品的总成本。
欲获得更多信息,请浏览以下网站:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/
 


图2. 电路板面积比较

 
图3. 保存资料时所需功耗


图4. 总成本比较

关键字:富士通

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2013/1114/article_16117.html
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