飞思卡尔美光纷纷投入闪存新技术的研发

2013-09-25 16:39:08来源: EEWORLD 关键字:飞思卡尔  卡尔  美光  纷纷

日前,飞思卡尔美光,不约儿童的宣布将开发能够超越NAND闪存极限的新技术。

飞思卡尔不久前刚刚与Rambus公司签署一项授权协议,包括内存控制器与串行总线技术,另外还包括未来合作开发eRRAM。

Rambus公司2012年2月以3500万美元收购了一家成立十年的非挥发性记忆体公司——Unity半导体。Unity一直在开发基于金属氧化物的非挥发性记忆体。

“Rambus的eRRAM技术是一个令人信服的解决方案,我们期待与Rambus合作,为嵌入式处理市场提供非挥发性记忆体。”飞思卡尔发现实验室主任David Kramer表示。

在另一份新闻中,IMEC表示,和美光签署一项延长三年的战略合作研究,将和美光一起就10nm以下的材料、设备、工艺技术等进行联合开发。美光于2006年就与IMEC联合开发闪存工艺。

“我们期待着继续与IMEC进行合作,开拓新设备和新材料,已促进闪存工艺不断进步。”美光研发副总裁Scott DeBoer表示。

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编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2013/0925/article_15465.html
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