三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

2013-08-23 09:06:31来源: 博客

    三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需的可靠性。

    V-NAND固态盘有480GB和960GB两个容量点,960GB容量的固态盘提供最高性能,采用64个MLC 3D V-NAND闪存让连续随机读速度提高了20%。

    新推出的V-NAND固态盘还提供了35K擦除周期,2.5英寸规格,为服务器制造商提供更高的设计灵活性和可扩展性。

    三星电子半导体研发中心执行副总裁E.S. Jung在最近的闪存内存峰会(Flash Memory SUmmit)上表示:“三星的3D V-NAND克服了将制程工艺缩小到10纳米以下的难以逾越的障碍,为全球客户提供最高密度的可靠性,性能提高20%,能耗降低40%。”

    “我们将继续为服务器、移动设备以及PC市场推出各种不同的绿色内存产品以及解决方案,帮助减少能源浪费,在企业级和消费级领域创造更大的共同价值。”

    据三星称,专有的3D V-NAND技术比20纳米级NAND闪存的制造生产力提高了两倍以上,通过利用3D Charge Trap Flash单元结构以及垂直互连技术,连接24层组成3D单元阵列。

    3D V-NAND固态盘将从本月开始生产。

关键字:三星  V-NAND  3D  固态盘

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2013/0823/article_15192.html
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