LSI SandForce揭幕SHIELD闪存纠错技术

2013-08-14 09:07:35来源: IT专家网

    LSI SandForce详细介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错方法,称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉召开的Flash Memory Summit峰会上披露了这项全新的SHIELD技术,旨在延长由更小的光刻工艺构建的NAND闪存的寿命。

    像其他芯片一样,闪速存储器(Flash Memory)也不断地缩小尺寸,以降低制造成本和功耗。虽然这种尺寸减小对存储器的每GB成本有积极的影响,但也使得NAND更容易产生误差。

    LSI SandForce的开发SHIELD就是要解决这些问题,通过多层次的纠错。第一个纠错阶段,是“硬”低密度奇偶校验,或称HLDPC(hard low-density parity check),适用于读请求。HLDPC的低开销,并不影响性能,但还不足以全面捕捉所有的错误。

    通过HLDPC的错误,由五个等级的“软”奇偶校验(SLDPC,soft parity checks. SLDPC)层处理。SLDPC层采用先进的噪声处理和信号处理进行纠错,每层逐步增加更多的延迟。

    SHIELD只在驱动器认为有必要时介入,并确定使用合适的纠错等级,基于一些LSI尚未披露的参数。如果错误继续通过五层SLDPC蔓延,SHIELD还有最后一层,叫做RAISE。

    RAISE操作类似RAID的冗余方案,类似于目前的SandForce控制器利用的,但增加了10毫秒的延迟。LSI表示,这最后一级纠错只在必要时谨慎使用,因为需要额外的处理时间。

    根据技术报告,新的芯片将在2013年第三季度被送往厂家进行采样,所以,配备SHIELD的LSI SandForce新芯片可能会在2013年底上市。

 

 

关键字:LSI  闪存  SSD

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2013/0814/article_15174.html
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