镁光开始样产SSD用16nm闪存芯片

2013-07-18 11:33:38来源: cnBeta

闪存行业的制程竞赛又到达了另一个里程碑。镁光表示,该公司已经开始样产业内最小的128Gb(16GB)MLC闪存芯片。该芯片采用16nm的制程技术,比该公司的20nm工艺更加精细。镁光声称,对于任何样产的半导体装置来说,该16nm制程工艺是"最先进的"。该公司计划在下一季度将16nm 128Gb的芯片带入量产(full production)阶段,当然,该芯片也将在明年推出的全新SSD产品家族中露面。

镁光(Micron)开始样产SSD用16nm闪存芯片

预计该16nm 128Gb芯片会覆盖USB驱动器、闪存卡、平板、智能机和数据中心SSD等产品。

因为更精细的制程,能够让相同的硅片出产更多的成品。转向16nm的128Gb(16GB)芯片,意味着零售端将出现更高容量/更低价格的固态硬盘,但是其速度可能明显比20nm的128Gb芯片要慢。

目前的8通道SSD控制器,每个通道可以连上4个NAND芯片,因此要实现峰值的性能,就需要32颗闪存芯片。搭建240-256GB的驱动器,只需要16颗128Gb的闪存。

关键字:镁光

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2013/0718/article_14971.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
镁光

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved