三星电子主管:内存困难 闪存成长好

2011-09-30 10:37:38来源: 搜狐IT
    9月30日消息,三星电子半导体事业暨装置解决方案事业社长权五铉表示,考虑长期发展需要,未来三星不排除启动任何形式的并购。

    三星电子半导体事业、装置解决方案事业部社长权五铉29日表示,半导体产业能见度低,明年成长幅度不会太高,DRAM业更是“非常困难”,仅储存型闪存(NAND Flash)等智能手机或移动应用领域产品具有高成长性。

    权五铉也透露三星未来发展方向,将消费性产品朝向智能化、低耗能发展,会继续与国际大厂在零组件等方面合作。过往三星对于并购并不积极,但考虑长期发展需要,未来三星不排除启动任何形式的并购。

    权五铉认为,欧美等成熟市场经济状况欠佳,增添半导体业景气不确定性,也让产业能见度降低,预期明年半导体成长速度将趋缓,成长性“不会太高”。

    在权五铉之前,联电执行长孙世伟、Gartner等,也对半导体后市抱持保守看法。

    权五铉认为,DRAM产业处境更是非常困难,主因个人计算机(PC)市场成长趋缓,DRAM价格何时落底,目前无法预测。相比之下,NAND Flash等在智能手机、移动应用领域则相对具有高成长性。

    他指出,三星已开始采用20纳米制程生产DRAM,技术领先同业一至二个世代,短期内先降低PC用DRAM投片量至三成左右,其余七成转做移动、服务器等基础型内存生产。

    他强调,在景气成长放缓的大环境下,技术决定一切,企业运营也有两极化差异。三星降低PC用DRAM投片,不代表放弃PC DRAM市场,未来还是会继续研发新技术,保持领先地位。

    由于产业能见度低,三星目前对于明年资本支出仍未定案,预估要到10、11月拜访完客户,了解实际需求后,才会有初步规划。

    他透露,三星明年的投资将锁定竞争优势的移动装置和运算市场为主。

关键字:三星电子半导体  内存  闪存

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0930/article_6758.html
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