三星公布新双核芯片、NAND闪存和传感器技术

2011-09-30 10:29:37来源: weiphone
    据国外媒体消息,今天三星通过行动解决方案年度论坛(Samsung Mobile Solutions Forum)展示了新款处理器、最新的闪存技术,以及最新的摄像头技术。

    Exynos 4212双核心处理器

    首先是三星最新自主研发的芯片——Exynos 4212双核心处理器,采用新32nm工艺打造,主频 1.2GHz 提升至 1.5GHz,目前该处理器应运用在三星最新的旗舰手机Galaxy S II LTE上。据测试表明,Exynos 4212较上一代产品的3D渲染性能提升近50%左右。

    三星表示,今年秋季开始,新的Exynos 4212双核心处理器已经进行抽样测试,除了目前已在加拿大和韩国最新发布的高端手机Galaxy S II LTE采用该处理器之外,其余他部分新品也将采用该处理器,比如Galaxy S II HD LTE。如不出意外的话,10月11日发布的 “Nexus Prime”以及三星的新平板也将分有 Exynos 4212芯片版本。


    64GB NAND闪存芯片

    三星还介绍了公司最新更快的嵌入式 64GB NAND闪存芯片,该芯片将普遍运用于智能手机和平板电脑。据介绍,新闪存芯片采用更小的20nm工艺和DDR2内存技术标准,拥有更高效率的核心设计和更高的带宽,读取和写入速度分别高达每秒80MB和40MB,较三星上早期产品性能提升60%以上。

    遗憾的是,三星并没有透露新款64GB NAND闪存芯片将于何时正式出货,不过三星称2012年智能手机和平板电脑的运行内存(RAM)将提升到更快的2GB。


    传感器技术

    此外,三星表示智能手机和平板电脑的摄像头将前进一个台阶,并公布了最新型号为“SK52P1”的CMOS传感器。该传感器是一款1.34微米级别的背照式(BSI)图像传感器,像素高达1600万像素,帮助高端智能手机在光线较暗的地方拍下高画质照片。如果处理器性能足够强劲,即便在最大分辨率的情况下,830W像素的摄像头也依然支持以每秒30帧或高达60帧的帧率进行拍摄。

    三星同时还介绍了另一个款1200万像素型号为“SK58AA”的传感器。三星称,SK58AA的强大之处在于,该传感器完全可以运用于手机或平板的前置摄像头之上。而且SK58AA采用了1.4微米级别的背照式感光元件,支持每秒30帧的720p视频录制,相当于时下流行智能手机主摄像头的水平。不过遗憾的是,SK58AA传感器厚度达到了2.8mm,对于尺寸尺度要求较高的的手机来说,该传感器将难以采用。

    三星称,目前两款传感器仍在样品测试阶段,但1600万像素的SK52P1已经做好准备,将于今年11月份开始量产。

    三星并没有公布这三个新技术产品的主要客户和订单情况,不过除了三星自身打头阵之外,苹果依然被公认为其最重要的客户之一,对象包括IOS设备和Mac的SSD硬盘。据此前传闻称,苹果已经将部分生产线撤离三星,但是否全部撤离将取决于三星本身。

关键字:三星  双核芯片  NAND闪存  传感器技术

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0930/article_6756.html
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