采用DDR接口 东芝推24nm工艺eMMC闪存芯片

2011-08-11 11:10:35来源: CCTIME飞象网 关键字:DDR接口  东芝  24nm工艺  eMMC闪存芯片

    日本东芝公司正大推出了新系列24nmeMMC闪存芯片。新的NAND闪存芯片主要面向的是嵌入式应用,由于使用了双数据接口,因此将可以带来更加出色的随机存取和连续数据存取性能。由于使用的是全新的24nm工艺,因此新芯片体积将变得更小,同时价格也得到了明显下降。

    东芝eMMC NAND闪存芯片采用的是toggle-mode DDR接口,主要面向的是嵌入式产品,容量从2G至128G不等,并且完全符合JEDEC e-MMC 4.41标准。东芝全新系列24nm e-MMC产品可将最高128G NAND闪存和e-MMC共同封装,同时东芝公司也成为了目前第一家成功将16片64Gbit核心封装于同一个e-MMC ,达到128G容量。同时通过先进的工艺以及布线技术使得芯片的厚度只有30微米。

   

    东芝24nm e-MMC工艺将可以带来更低的成本,更高的存储容量,更高的性能以及更小的封装尺寸,所有这些使得该芯片能够更好得满足当前智能手机,平板电脑以及电子阅读器、数码摄像头、打印机、服务器以及POS等产品的需求。

    东芝通讯内存产品部业务拓展经理Scott Beekman表示:“使用了我们最新的toggle-mode DDR NAND,是使得我们的eMMC产品获得更高性能,变得更小以及封装变得更薄的关键所在。比如我们的128GB e-MMC产品可以使用14x18封装,这将获得很多应用的支持。”

    目前东芝公司已经成功出样8GB, 16GB, 32GB以及64GB 24nm e-MMC芯片,量产预计将会从3季度开始。

关键字:DDR接口  东芝  24nm工艺  eMMC闪存芯片

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0811/article_6140.html
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