韩媒称海力士半导体30纳米工艺转换不顺

2011-06-03 10:24:47来源: Digitimes 关键字:海力士半导体  30纳米  DRAM

    据南韩电子新闻报导,全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业,然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中,一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida),可能会更快完成制程转换作业,并动摇海力士数年来维持的竞争力。对此说法,海力士反驳道,目前皆依照计划日程顺利进行转换中。

    南韩相关业者引用DRAMeXange报告指出,三星电子(SamsungElectronics)、海力士、尔必达等主要DRAM内存芯片业者展开转换至30纳米等级以下微细制程的激烈竞争,其中三星与其他竞争业者维持相当大的差距。

    三星30纳米制程比重持续扩大,至2011年底预估将可扩大至50%。尔必达计划从6月开始投入30纳米制程量产,以年底达到整体产量50%为目标积极作业中。

    而海力士从2011年第1季开始在30纳米制程中首度采用6F2Layout进行生产,但至2011年下半在扩大30纳米制程比重仍受限制,主要原因在海力士是首度在30纳米制程中采用6F2技术,而30纳米制程转换作业又有技术上的困难。南韩证券专家对海力士是否能顺利扩大30纳米制程比重也抱持尚待观察的态度。

    9个多月前三星便已开始转换到30纳米制程,目前仍未能大幅扩大比重,而海力士转换制程至今约4个月,仍难说会有怎样的成果。南韩MiraeAssetSecurities分析师表示,40纳米以下的制程比起现有制程,在技术方面的难易度较高,因此较难预测未来是否能顺利转换成功。三星从以前就已经使用6F2技术,而海力士则是从30纳米制程才开始采用6F2技术,在扩大比重方面较难抱持乐观态度。如果海力士在转换到30纳米制程上仍无法摆脱瓶颈,恐怕会被尔必达赶过。

    对于外界的评价,海力士表示,进行尖端技术开发已有一段时日,且扩大资本支出,在扩大比重方面不会有问题。海力士相关人员表示,从第1季开始投入30纳米DRAM量产,计划至年底将比重扩大至40%。且海力士为了使用6F2技术,从过去就已持续进行相关研究,目前正顺利进行制程转换当中,在扩大比重方面也将会依照日程顺利进行。

关键字:海力士半导体  30纳米  DRAM

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0603/article_5424.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:三星推出全球最佳性能32GB DDR3内存模组
下一篇:需求趋缓致5月NAND闪存芯片价格下降

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
海力士半导体
30纳米
DRAM

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved