NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道

2011-05-11 22:54:04来源: DigiTimes
    2011年全球NAND Flash中,全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头,市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝(Toshiba),市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计,2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。

    2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多,最大影响当属日本311东北强震,对后势NAND Flash市场和科技产业的供给面都造成多空复杂交错的影响,以及造成NAND Flash价格短线剧烈波动;再者,2010年12月东芝日本12寸晶圆厂跳电事件,也影响2011年第1季NAND Flash产出,还有3月初苹果(Apple)iPad 2新产品问世后,市场一片好评。

    在供给端方面,延续之前现象,传统的快闪记忆卡和优盘需求仍是相当疲弱,由智能型手机(Smart Phone)和平板计算机(Tablet)应用带动的内嵌式存储器订单仍是相当稳定,两者发展呈现两极化现象。

    根据TrendForce统计,2011年第1季全球NAND Flash品牌供应商的位元出货量成长13%,营收规模达53.63亿美元,较上季成长9.9%。

    以各家NAND Flash大厂2011年第1季排名来看,TrendForce统计,三星营收为19.41亿美元,以36.2%市占率稳坐龙头,东芝营收为18.83亿美元,市占率以35.1%排名第二之姿紧追在后,之后为美光(Micron)和海力士(Hynix)的缠斗,美光持续以市占率11.4%稳坐全球第3,营收为6.1亿美元,海力士营收则为5.74亿美元,市占率以10.7%排名第4,而英特尔(Intel)营收为3.55亿美元,市占率为6.6%。

    三星在2011年第1季持续称霸NAND Flash市场,虽然传统记忆卡和优盘需求疲弱,但来自智能型手机和平板计算机等系统厂的订单却是加温,带动三星第1季的位元出货量成长20%,但平均售价下跌10%,但营收仍小幅受到韩元升值的影响;受惠OEM订单持续稳定,三星第2季位元出货量将可望成长约30%以上。

    在制程技术上,三星在第2季持续提升27纳米制程比重,并将于下半年持续转进21纳米制程,预计可持续降低生产成本;在新产品方面,新的内嵌式存储器产品和固态硬盘(SSD)将是重点产品。

    东芝2011年第1季的产出受到2010年12月跳电的影响而减少,主要也是靠智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单带动营运升温;在制程技术方面,东芝和合作伙伴新帝持续转进24纳米制程,且预计下半年进一步转进19纳米制程,在技术制程转换上非常积极。

    再者,东芝和新帝在日本四日市兴建新12寸晶圆厂Fab 5,预计下半年会贡献产能,届时东芝可提升系统客户的比重。

    在美光方面,美光不但有OEM系统客户的订单,还有自家的快闪记忆卡零售通路品牌Lexar,加上2010年合并恒忆Numonyx带来嵌入式产品新客户,在产品消化应用管道上相当多元化。

    整体来看,美光第1季的位元出货量成长约20%以上,但平均售价仍是减少,预计第2季位元产出量为10%,至于在价格方面,美光预期能微幅调涨。

    美光日前也与英特尔合资兴建新12寸晶圆厂,也就是新加坡厂,美光在2010年底就独自启动新加坡新厂,当时英特尔还未决定是否跟进投资,不过,双方已于2011年4月宣布将共同投资,美光的持股比重略高,未来也可分得较多产能。

    海力士2011年第1季的位元出货量增加约15%,平均售价约是持平,单季营收为5.74亿美元,市占率为10.7%,智能型手机及平板计算机同样是营运成长来源,预估第2季的位元出货量将成长约30%以上,平均售价小幅下跌5%。

    在制程技术上,海力士持续转进26纳米制程,下半年则是转进20纳米制程,目的也是强化成本结构和竞争力,同步也开发嵌入式产品及SSD新产品以提高系统产品客户的销售比重。

    英特尔日前决定继续与美光投资新加坡12寸晶圆厂,为NAND Flash产业打了一剂强心针,英特尔目前产品线主要集中在固态硬盘上,产品线相当齐全;英特尔的25纳米制程领先问世,下半年也将转进20纳米制程,下半年新加坡新厂预计也可贡献产能。

关键字:NAND  Flash  20纳米

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0511/article_5121.html
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