赛普拉斯 瑞萨联手开发QDR SDRAM

2011-04-26 20:36:29来源: EEWORLD 关键字:QDR  SDRAM

    2011年4月26日,北京讯,包括赛普拉斯半导体公司(NASDAQ:CY)和瑞萨电子公司(TSE: 6723)在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和功能方面兼容,从而使网络交换机、路由器及聚合平台制造商不必修改电路板设计,只需提高系统内时钟速度即可大幅改善产品性能。

    新型QDR II+ Xtreme SRAM将采用x18 o或x36字宽,4或2次突发访问。4次突发器件的随机存取速率(RTR)可达每秒6.33亿次,工作时钟频率为633MHz,这是QDR SRAM器件现有的最高速度。2次突发器件以450MHz的频率工作,RTR可达每秒9亿次随机传输,这比以同样频率运行的上一代4次突发器件的RTR提高了一倍。 随机存取速率的定义是每秒进行的完全随机存取次数,是重要的存储器指标,用以衡量增加的线或交换速度。

    赛普拉斯存储器事业部执行副总裁Dana Nazarian 说:“QDR II+ Xtreme产品无需重新进行系统设计即可大幅提升性能,这对于期望赶上流量要求步伐的网络设备制造商非常有吸引力。QDR联盟正积极制定一系列后续解决方案,以支持网络工业界对存储器不断提高的要求。”

    瑞萨电子公司工业和网络事业部高级经理Hiroyuki Goto说:“SRAM器件是追求高性能存储器解决方案的客户的另一个很好的选择。我们很高兴能以QDR II+ Xtreme架构保持领先地位。”

关键字:QDR  SDRAM

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0426/article_5012.html
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