Hynix宣布成功开发出30nm制程级别DDR4内存芯片

2011-04-06 10:25:04来源: eetimes 关键字:Hynix  30nm制程  DDR4  内存芯片

    韩国Hynix宣布已成功开发出2Gbit密度的DDR4内存芯片,以及采用这种芯片制作的2GB容量的DDR4内存条.这款DDR4内存芯片采用 30nm级别(关键尺寸在30-39nm范围)制程制作。Hynix开发的2GB DDR4内存条上安装有ECC校验芯片,采用笔记本内存常用的小型双列直插封装(SODIMM)形式。这款内存条的主要用途将是用于小型服务器机型。 Hynix表示将于明年下半年开始DDR4内存产品的量产。

    Hynix声称自己开发的DDR4内存芯片峰值数据传输率可达2400Mbps,超过了三星DDR4芯片的2133Mbps,达到了业内最高水平。同时,也比Hynix自己的DDR3 1333内存的1333Mbps传输率更上一层楼。由于DDR4内存的数据传输率要比同频的DDR3内存快上一倍,因此DDR4内存在性能提升的同时功耗水平还有可能更低。

    Hynix这次开发成功的DDR4内存条工作电压可低至1.2V,输出位宽为64bit时,内存峰值带宽可达19.2GB/s。

    Hynix并援引市调公司 IHS-iSuppli的调查报告称,DDR4内存的市场占有率将从2013年的5%提升到2015年的50%以上,而市场对DDR3内存的需求顶点将在2012年达成,预计届时DDR3内存的市占率将为71%,而到2014年DDR3内存的市占率将跌至49%。

关键字:Hynix  30nm制程  DDR4  内存芯片

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/0406/article_4867.html
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