清华大学开发新技术改善MRAM存储速度与功耗

      来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术，号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善；这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少。

      上述新技术的基本概念，是将磁域开关「部分」开关、而非完全转换其磁场方向；北京清大的研究人员表示，这种方式仍能让MARM储存二进制位元，但所需的开关速度却快得多，所耗费的能源量也是会比一般状况少很多。

      传统MRAM是利用磁场来开关位元单元，使得这种存储器的密度不如快闪存储器；不久前，一个日本研究团队也发表了利用电子开关方式执行垂直写入，让MRAM储存密度可获得大幅提升、甚至可超越快闪存储器的方法。北京清大的研究团队则声称，以电子方式开关的MRAM，在速度与功耗方面都优于目前的磁性开关元件。

      不同于磁性开关的MRAM位元单元需要较复杂的多层堆栈(multilayered stack)，北京清大研究人员所制作的电子开关MRAM位元单元，仅只使用了两层不同的铁电薄膜。透过将该双层架构的条纹状磁区间的障壁打散，会产生一种影响其磁性的电子讯号；这会让该架构转换成单一磁区，其薄膜的电阻率也被改变到刚好侦测得到。

      北京清大的研究人员证实，在他们的MRAM位元单元提供一个电压，能让磁区障壁出现或是消失，用以储存信息。目前该团队正在加强透过让磁区障壁出现或消失所引起的电阻率改变，以最佳化其材料堆栈、期望可进行商业化。