中芯国际宣布首批45纳米芯片通过良率测试

2008-12-11 10:21:07来源: 中国证券报

      中芯国际宣布,第一批45纳米产品已成功通过良率测试,标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。

  2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能芯片技术许可协议。中芯国际第一批完整工艺流程的300毫米芯片也是在IBM的测试条件下取得了出色的良率。

  中芯国际45纳米项目负责人俎永熙表示,“这是我们45纳米合作项目的第一个重要里程碑,为我们给客户提供IBM的技术与中芯国际完善的芯片代工服务铺平了道路。”

  中芯国际已与一系列高端客户签订了45纳米代工协定,计划于2009年开始生产。

  IBM授权的45纳米芯片技术可应用于3G手机、全球定位系统以及多媒体处理器。该技术还可以支持图形,网络,存储及一般消费性装置的生产制造。

  中芯国际人士表示,这证明了专注于逻辑代工的策略是十分正确的,同时也使中芯国际能够为设计及系统厂商及时提供领先的45纳米芯片代工解决方案。

  据介绍,45纳米技术为目前最先进的芯片制程技术。

关键字:中芯国际  45nm  测试

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2008/1211/article_1001.html
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