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弗劳恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多个元件

2019-05-22来源: 盖世汽车关键字:弗劳恩霍夫  GaN芯片

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(图片来源:弗劳恩霍夫应用固体物理研究所)


据外媒报道,德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)的研究人员成功将电流传感器、温度传感器以及功率晶体管、续流二极管以及栅极驱动器都集成到了基于GaN的半导体芯片上,从而显著地提升了用于电压转换器的氮化镓功率集成电路(GaN power IC,即芯片)的功能。此次研究进展将为研发更紧凑、更高效的电动汽车车载充电器铺平道路。


如果电动汽车想要在社会上长期立足,就需要拥有更加灵活的充电选择。为了尽可能使用交流电充电桩、壁挂式充电桩或传统的插头插座充电桩,用户就需要依赖车载充电器。由于此类技术是汽车自带的,因而必须尽可能地小且轻,同时成本效益要高。因此,此类充电器就需要电压转换器等非常紧凑而高效的电力电子系统。


单个芯片上集成多个元件


多年来,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)都致力于研究电力电子领域的单片集成技术,即需要将功率元件、控制电路和传感器组合在单个半导体芯片上,该概念利用了半导体材料氮化镓(gallium nitride,GaN)。早在2014年,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所的研究人员就成功在一个600V的功率晶体管上集成了续流二极管和栅极驱动器。2017年,一个单片GaN半电桥首次以400V电压运行。


弗劳恩霍夫应用固体物理研究所的最新研究成果是,首次成功将电流和温度传感器、600V功率晶体管、续流二极管和栅极驱动器都集成至一个GaN功率集成电路上。作为GaNIAL研究项目的一部分,研究人员对GaN功率集成电路的全部功能进行了功能验证,实现了电力电子系统集成技术的突破。


与传统的电压转换器相比,新研发的电路不仅具有更高的开关频率以及更高的功率密度,还能快速而准确地对芯片本身进行监测。弗劳恩霍夫应用固体物理研究所电力电子业务部研究员Stefan Mönch强调表示:“虽然基于GaN的功率电子产品的开关频率增加可使得设计变得越来越紧凑,但是,同时也对监测和控制自己本身提出了更高的要求。”


以前,电流和温度传感器都在GaN芯片外部进行工作,现在集成了电流传感器就可以对晶体管电流进行无反馈测量,实现闭环控制和短路保护功能,此外,与传统的外部电流传感器相比,节省了芯片的空间。而集成了温度传感器就可以直接测量功率晶体管的温度,由于单片集成电路消除了传感器与测量点之间因距离产生的温度差,因而,与以前的外部传感器相比,集成了温度传感器就可以更快、更准确地反映出热临界点。


为GaN芯片设计和集成电路的Mönch表示:“将GaN芯片与传感器和控制电路整体集成可节省芯片表面的空间,降低装配成本,提高可靠性。对于需要在有限空间内安装大量非常小而高效的系统的应用来说,这点至关重要。”该GaN芯片尺寸大小仅为4x3 mm²,为进一步研发更加紧凑的车载充电器奠定了基础。


关键字:弗劳恩霍夫  GaN芯片

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/ic462587.html
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