安森美半导体最新的BSI技术为汽车ADAS和视图摄像机

2015-07-14 16:24:21来源: EEWORLD
最新的1/3英寸100万像素背照式(BSI)CMOS图像传感器显著改善微光信噪比、可见光灵敏度和红外性能
 
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),正扩展受高度评价的1/3英寸100万像素(MP)图像传感器产品阵容,推出以公司首款背照式(BSI)传感器技术的早期样品用于汽车成像市场。相较当前领先市场用于先进驾驶辅助系统(ADAS)的AR0132AT CMOS 图像传感器,该创新的新的BSI传感器技术提供好4倍的微光信噪比,增加40%的可见光灵敏度,和提升超过60%的近红外(NIR)性能。
 
安森美半导体汽车和扫描分部副总裁Sandor Barna说:“这新的BSI技术带给汽车市场的优势是令人兴奋的。基于此技术的最先进的BSI器件,我们是提供早期样品阶段,它具备真正领先业界的微光性能,彰显我们持续投资于汽车成像技术的承诺。”
 
首款采用这新技术的产品将是AR0136AT 1/3英寸光学制式CMOS数字图像传感器,提供1280 x 960的分辨率和3.75微米BSI像素(p)。AR0136AT支持线性和高动态范围(HDR)模式,是一个单芯片HDR方案,在HDR模式下具有120分贝(dB)动态范围。它的输出像素率为74.25 MP/秒(最大值),由此产生的帧率为在960p分辨率时的45帧每秒(fps)和在720p分辨率时的60帧每秒。它的工作结温范围是-40 °C  至125 °C,并完全符合AEC-Q100。工程样品将于2015年第三季度提供,计划于2016年初量产。

关键字:安森美

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2015/0714/article_11135.html
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