Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET

2015-04-01 17:30:04来源: EEWORLD
    器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm。
 
 
    宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 4 月1 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率MOSFET-SQJQ402E,目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装,实现大电流,并能节省空间和功耗的方案。该款40V TrenchFET®功率MOSFET是业内首颗使用这种8mm x 8mm占位,通过AEC-Q101认证的MOSFET,首次采用带有能释放机械应力的鸥翼引线的8mm x 8mm封装。
 
    SQJQ402E可在+175℃高温下工作,为电机驱动、电动助力转向、传动控制和喷油驱动等汽车应用提供所需的耐用性和可靠性。器件PowerPAK 8x8L封装的内部结构使电感最小化,在10V和4.5V下的最大导通电阻为1.5mΩ和1.8mΩ,连续漏极电流高达200A。SQJQ402E表明了Vishay的MOSFET发展路线,这些MOSFET让设计者在大量汽车应用里能发挥这种封装的优点。
 
    今天发布的器件还采用为减小PCB焊点应力而专门设计的鸥翼引线,这种应力是由宽温工作引起的,在汽车应用里会经常碰到。这种方法已经在Vishay更小的5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封装中得到成功应用。D2PAK和DPAK封装含铅,而PowerPAK 8x8L超越了目前的RoHS标准,是完全无铅的。
 
    为了节约PCB空间,降低成本,并在通常需要多个MOSFET的应用中实现更小和更轻的模块,SQJQ402E具有与采用D2PAK封装的器件近似的导通电阻和更高的连续电流,而占位面积小60%,高度低60%。与采用DPAK封装的器件相比,SQJQ402E的导通电阻低一半,电流是其两倍,高度低21%,占位仅仅多12%,能有效降低功耗
 
    SQJQ402E现可提供样品,将在二季度实现量产,大宗订货的供货周期为十三周到十四周。

关键字:新款  功率

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2015/0401/article_10608.html
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