TE Connectivity的SESD器件

2014-03-19 14:38:09来源: EEWORLD 关键字:SESD  TE  ESD  浪涌保护

    增强的硅ESD器件具有 20kV空气放电额定值,在汽车、消费电子和计算机设计中实现更稳健的保护功能。

          
 
    中国上海-2014年3月18日-设计工程师充分了解在应付由charged board event (CBE) 所造成的较严重损坏时,提供符合IEC 61000-4-2标准的静电放电 (ESD)保护功能可能并不足够。这些极强的浪涌事件具有高峰值电流和快速上升时间特性,可能损坏智能手机、平板电脑、汽车信息娱乐设备和其它敏感的电子产品的I/O端口。认识到这一事实,TE Connectivity旗下的电路保护业务部门推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件, 这些器件的空气放电额定值为±20kV 和±22kV,远远高于IEC 8kV 接触放电和15kV空气放电标准要求,可以帮助设计人员解决由CBE事件引起的普遍电路保护难题。
 
    TE电路保护部产品经理Nicole Palma表示:“在与设计工程师一起工作时,我们发现IEC的ESD保护标准没有真正解决可能导致产品故障的CBE问题。针对这一挑战,我们提升了现有的小型低电容SESD器件产品线,提供20kV及更高的浪涌保护能力。这种更强大的保护能力可以帮助制造商提高产品可靠性,最大限度地减少现场返修(field return),而这正是竞争异常激烈的计算机、移动、消费和汽车市场的关键设计考虑。”
 
    此新一代SESD产品同时具有单向和双向配置,以及1、2和4通道器件,采用微小型0201和0402尺寸及标准直通(flow-through)封装。除了提供20kV接触放电性能,这些器件的浪涌保护能力(4通道阵列为2.2A,1和2通道器件为2.5A)有助于提供更稳健的性能。

    SESD器件的典型输入电容在高频谱下为0.15pF (双向)和0.30pF (单向),能帮助满足HDMI、eSATA和其它高速信号要求。它们的低钳位电压 (<15V) 有助于达到快速启动时间和最大限度地减少能量通泄 (energy let-through)。此外,SESD器件具有极低的泄漏电流(50nA),帮助在必须节约能源的应用中降低功耗

关键字:SESD  TE  ESD  浪涌保护

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2014/0319/article_8818.html
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