恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件

2012-06-05 11:17:06来源: EEWORLD 关键字:恩智浦  TrenchMOS器件

中国上海,2012年6月4日讯——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (纳斯达克:NXPI)今天宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列,该系列采用恩智浦的Trench 6技术,具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证,成功通过了175˚C高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求),同时具有极低PPM 水平。
 
恩智浦这一全新车用 MOSFET系列中的首批产品将采用D2PAK封装电压级分别为30V、40V、60V、80V和100V,全部具有出色的导通电阻(RDSon)性能。未来的Trench 6器件将会采用其他类型车用封装形式,包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封装,以此作为产品组合的重要扩展形式,为用户提供全面的应用灵活性。该系列几乎覆盖所有汽车应用领域,从简单的车灯照明到精密复杂的传动、车身及底盘等各系统的功率控制。

Trench 6将在前代TrenchMOS器件的基础上进一步提升开关性能,可在给定导通电阻(RDSon)条件下实现超低QGD,因此是汽车DC-DC开关应用的理想选择。恩智浦的汽车级功率MOSFET器件还为各类产品带来真正的逻辑电平变体,这是一项将基准导通电阻性能与阈值电压容限相结合的重要功能,可确保MOSFET器件在高温下的正常控制。

恩智浦半导体产品市场经理Ian Kennedy表示,“我们的Trench 6汽车级功率MOSFET器件可以为车内几乎每个MOSFET插口提供经过优化的、可靠性能极高的解决方案。广泛严格的测试表明,Trench 6的构架极其简单,且在近两年的标准MOSFET市场业绩骄人,一定可以满足延长汽车寿命所需的品质和可靠性要求。”

关键字:恩智浦  TrenchMOS器件

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2012/0605/article_5523.html
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