瑞萨发布首款嵌入式闪存技术

2012-01-05 21:00:55来源: 电子产品世界

  全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称“瑞萨电子”)宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术,针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商,采用该技术的首款产品预计将于2012年秋季开始供应。

  瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS(金属氮氧硅)技术方面,拥有丰富的经验且广受好评。在2007年,瑞萨电子便成为第一家推出90nm汽车用闪存MCU产品的厂商。

  瑞萨电子闪存MONOS技术为可扩充的技术,不仅可靠性高且具备高效能。40nm闪存测试组件的评估结果,已证明其在三个重要的参数(数据保存、程序/擦写周期耐受性及程序设计时间)方面,均能成功做到优异的特性表现。40nm制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。

  瑞萨电子40nm闪存IP保证数据可保存20年,并可在最高170℃结合温度下进行读取。此外,程序代码闪存支持120 MHz读取速度,而数据闪存即使在125,000次程序/擦写周期后,仍可达到业界领先的20年超长数据保存时间。

关键字:发布  嵌入式  闪存  技术

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2012/0105/article_4956.html
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