丰田发布面向ECU用控制IC的新一代工艺技术

2011-06-01 22:28:06来源: 网络
  丰田汽车ECU的各种控制用IC的新制造工艺技术,在功率半导体相关国际学会“ISPSD 2011”(美国圣地亚哥,2011年5月23日~26日举行)上作了发布。该公司将其定位于在一枚芯片上集成CMOS、DMOS晶体管及双极晶体管等的第三代“BiCDMOS”工艺技术。此次将耐压为6V~80V的多个不同耐压晶体管集成到了一枚芯片上。基板采用SOI。

  该IC具有处理各种传感器和开关输入的信号并向ECU内的MCU发送数据,以及将MCU输出的数据发送给马达和灯等功能。并且还具有向ECU内的各种电路提供电源的功能,这些功能的控制都是以一枚芯片实现的。

  此次,通过采用第三代BiCDMOS工艺,将IC的芯片面积缩小到了2.4mm见方。采用第二代BiCDMOS工艺时,要实现具有相同功能的IC,需要4.3mm×3.8mm的尺寸。

  除缩小了尺寸外,此次的IC还具有可在175℃的高温环境下工作的特点。丰田在发布中,还披露了高温试验的评测结果。采用第二代BiCDMOS工艺制作的IC,只能在150℃以下的环境中工作。

  现有汽车上配备的是第二代产品。第三代产品有可能配备在预定2011年上市的汽车上。

关键字:丰田  ECU  IC  工艺技术

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/qcdz/2011/0601/article_3809.html
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