恒忆与海力士:NAND闪存合作将延长5年

2008-08-19 10:18:45来源: 日经BP社

  瑞士恒忆(Numonyx B.V.)和韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)于2008年8月6日宣布,就两公司NAND闪存升级产品和技术开发合作计划延长5年达成了意向。根据此意向,两公司将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围,并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化。

  恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示,“凭借与海力士半导体的专业技术互补,将会提高我们在无线领域NAND闪存的竞争力”。

  同时,两公司还宣布将进行手机用移动DRAM的合作。将合作开发多芯片封装(MCP)中与非易失性内存同时配备的移动DRAM。目前,两公司正在中国进行使用300mm晶圆生产低耗电移动DRAM的合作。通过这项合作,两公司可提供成本更低、耗电更少的MCP产品。

  韩国海力士半导体于2008年4月曾推出了符合LPDDR2(低功耗DDR2)规格的1GB移动DRAM。

 

关键字:恒忆  海力士  NAND闪存

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/others/hotclick/200808/article_18008.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
恒忆
海力士
NAND闪存

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 展览/会议

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved