最新ESD白皮书发布引发争议,是否降低ESD保护等级成为争论焦点

2007-11-27 08:58:53来源: 电子工程专辑

最近有一家组织发布了一本有关芯片级静电放电(ESD)目标级别的新白皮书,这份白皮书很有可能会造成争议。

二十多年以来,芯片制造商开发了带有片上ESD保护电路的数字化IC,这些电路支持人体模式(HBM)的2000-V等级和机器模式的(MM)的200V等级。ESD目标等级行业委员会正在推动行业将HBM级降低到1000V,将MM模式降低到30V。这份白皮书名为《降低元件级HBM/MM ESD规范和要求的一个案例》,目前已经面向公众发布。

该组织成立于去年,包含了16个主要成员:模拟器件、AMD、飞思卡尔、富士通、IBM、英飞凌、英特尔、LSI、松下、NXP、Oki、瑞萨、三星、Sarnoff、德州仪器和TSMC。

该委员会成员Charvaka Duvvury和Harald Gossner表示:“如今OEM所要求的更好的静电控制方法并不能作为本文数据所展示的更高HBM/MM级别正名的证据。”Gossner是英飞凌ESD设计高级主管兼ESD目标等级行业委员会联席主席,而Duvvury则是德州仪器旗下硅技术部门专家兼该部门联合总裁。

这两位专家表示:“ESD等级的过度设计正越来越限制硅领域及性能,并常常导致产品创新的延误。基于更佳的静电控制技术、现场失败率、案例研究和来自IC供应商和合同制造商的ESD设计数据,我们提出将HBM/MM ESD目标等级降到一个更实际但仍然安全的水平。”

据该委员会成员称:“本文的目的在于向半导体公司及其客户提供有关质量组织的信息,以使之评估安全ESD等级要求并作出决定。”他们表示:“通过这篇文章,我们展示了为何现实地降低元件级ESD的ESD目标等级不仅必需而且刻不容缓。本文规定的所有元件级ESD测试都遵循相关JEDEC和ANSI/ESDA规范中限定的方法。”

但并不是所有人都意见一致。在被问道他们对此事的看法时,有些成员的态度来了个180度的大转弯,尤其是Sarnoff旗下的Sarnoff Europe。

NEC电子最近开发出了一种面向45纳米节点的新型静电放电(ESD)技术。NEC表示:“由于采用65纳米及以下节点的器件外形日益缩小,电路级上的电压和电流允差变得更小。但更小的外形需要和更大外形一样的ESD保护等级。”

业内某专家表示:“应该是由客户来决定他们的ESD要求,而不是某个行业组织。”

关键字:静电  控制  供应  设计

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/power/200711/17033.html
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