英特尔、东芝与NEC电子的32nm工艺技术

2009-01-12 13:39:48来源: 技术在线
  按照惯例,IEDM的“Late News”内容在会议召开之前公布。此次共有5项内容,其中值得关注的是美国英特尔(演讲序号27.9)及东芝与NEC电子(演讲序号28.7)发布的32nm工艺技术。

  英特尔的32nm工艺采用了继45nm工艺之后的第二代高介电率(high-k)绝缘膜及金属极技术。通过与第四代应变硅技术融合,实现了高驱动力,在nMOS条件下为1.55mA/μm,在pMOS条件下为1.21mA/μm。

  东芝与NEC电子的联合小组首次在32nm工艺上采用了high-k及金属栅极。还采用了先行栅极工艺(Gate-first Process)。两公司的工艺特点是,尽管最小的半间距仅为50nm,也无需使用可削减制造成本的双重曝光技术。通过优化曝光的照明条件等,曝光一次即可成像。

  此外的3项内容分别为,美国斯坦福大学发布Ge通道的隧道FET(演讲序号35.7)、美国Microelectronics Laboratory与HRL Laboratory L.L.C发布基于晶圆工艺粘贴的不同元器件融合技术(演讲序号30.7)、以及日本的东北大学与日立制作所发布采用自旋注入反磁化MRAM (magnetoresistive RAM)的可重构逻辑电路(演讲序号7.7)。

  其中HRL Laboratory发布的内容很独特。即利用晶圆级工艺粘贴130nm级RF-CMOS电路及250nm级InP-DHBT(double hetero-junction bipolar transistor)电路,从而实现兼具两者功能的元器件。作为不依赖微细化就可提高元器件性能的“More than Moore”新方法,估计将引起人们的广泛关注。

关键字:32nm  工艺

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/packing/200901/article_23387.html
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