台积电将发表28纳米制程系列服务计划

2008-10-08 09:55:05来源: eNet硅谷动力

  台积电28纳米系列制程同时具备了高介电层/金属闸,以及氮氧化硅闸晶体管两种选择的弹性制造能力,而28纳米制程将是此一系列中的全世代制程。目前有多个客户正使用台积电28纳米制程进行产品设计,由与客户密切的协同合作,可以让客户选用最佳化的晶体管材料,以达到速度、耗电与成本考虑的目标。

  台积电全球业务暨营销副总经理陈俊圣表示:产品差异化、加快产品上市时程以及最佳投资效益,是台积公司提供给客户最重要的三个价值。有鉴于此,我们正在开发一个全备的28纳米制程系列,来满足客户不同产品应用及效能的需求。

  以氮氧化硅为基础的28纳米低耗电高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程,是此一制程系列中总功耗最低及具备成本效益的选择,与40纳米低耗电制程(40LP)相较,其闸密度预计可增为2倍,速度可增加最多达50%或功耗减少30%至50%。28LPT制程预计于2010年初即可开始生产,可应用于行动基频、应用处理器、无线网络与可携式消费性电子产品等。

  由于无线和行动消费性产品日新月异,为了协助客户抢得市场先机,台积电遂决定在成功的氮氧化硅材料基础上开发28 LPT制程。过去几年,消费者的需求是低漏电且电池寿命长久的可携式电子产品,而今消费者对无线通讯设备的需求,除了传统的通话和简讯发送功能之外,更希望其具备上网、视讯串流(Video Streaming)、音乐、行动电视、卫星导航等功能。

  目前在电池寿命方面,消费者更关心的是操作功耗的多寡,而氮氧化硅材料的闸电容量较低,操作功耗较一般高介电层/金属闸要小,为受到电力限制的产品提供较低的总功耗优势、更佳的成本效益及更低的风险。

  至于28纳米高效能制程(High Performance,28HP)则是台积电第一个使用高介电层/金属闸的制程,将着重于中央处理器、绘图处理器及可程序逻辑门阵列(FPGAs)等高效能的产品应用,预计于2010上半年度开始生产。此外,与40纳米泛用型制程(40G)相较,在类似的电力密度下,28HP制程的闸密度增为2倍,速度则高出30%以上。而在28纳米世代之后的更新世代制程,高介电层/金属闸材料将具有明显的优势。

  台积电的28纳米制程目前提供α版的设计套件支持,预计于今年底开始推出快速且频繁的晶圆共乘服务(CyberShuttle)予客户进行产品试制。

  台积公司目前正与客户及设计生态系统合作伙伴密切合作,于近来揭示的开放创新平台(Open Innovation Platform)上建构一完善的28纳米制程设计基础,目标在于协助客户使用此一制程系列发展众多不同产品的差异化。

 

关键字:台积电  28纳米制程

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/packing/200810/article_22495.html
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