三星:TSV移动DRAM和图形DRAM的进化极为重要

2010-02-23 13:33:13来源: 技术在线

  2010年2月7日,也就是半导体电路技术国际会议“ISSCC 2010”演讲开始的前一天,以三维半导体技术为核心的技术论坛“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召开。其中备受关注的是韩国三星电子发表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星电子从03年开始研发TSV(through silicon via),并探讨该产品在DRAM及闪存上的应用。

  三星表示,尤其是在移动DRAM及图形DRAM方面,TSV的重要性不断提高。在移动DRAM方面,09年前后导入了LPDDR2接口产品(单芯片的数据传输速度为3.2GB/秒)。2013年前后亮相的新一代移动DRAM的单芯片数据传输速度要求达到12.8GB/秒。并且,单个内存芯片的耗电量 “需要控制在0.5W以下”(三星)。这就要求兼顾数据传输速度和耗电量,“现有的单端方式的LPDDR2 DRAM无法实现。而比较有效的方法是在微处理器芯片上直接层积多个基于TSV、具有数百个输入输出端子的DRAM芯片”(三星)。三星称,这种内存系统的TSV数量超过1000个。

  关于图形DRAM,从兼顾数据传输速度及耗电量的角度来看,预计在不久的将来,现有技术就会碰到极限。关于GDDR5接口的新一代产品,三星表示“系统的数据传输速度要求达到512GB/秒以上,内存容量要求达到2GB以上”。现有的单端GDDR5 DRAM要想实现这一要求,“需使用16个单端子的、数据传输速度为8Gbit/秒的1Gbit产品,这是不现实的”(三星)。作为解决对策,“比较可行的方法是在GPU上层积多个图形DRAM,然后利用TSV使其实现相互连接”(三星)。

  三星还列举了TSV用于DRAM产品时存在的课题。“就像此前一直所说的,如何降低TSV的成本以及数量高达1000个的TSV的成品率如何达到量产水平等,都是今后面临的主要课题”(三星)。(记者:大石 基之)

关键字:三星  DRAM  TSV  ISSCC

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/201002/article_25896.html
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