海力士关闭200mm晶圆“M7”DRAM工厂

2008-10-06 09:43:47来源: 电子产品世界

  韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)宣布,将提前关闭生产效率低于300mm晶圆的200mm晶圆工厂的计划英文发布资料。由此,DRAM和NAND闪存的大部分生产移至300mm晶圆工厂,以稳定财务状况并提高收益性。

  海力士半导体现有5家200mm晶圆工厂。分别为韩国仁川的“M7”、清州的“M8”和“M9”、美国俄勒冈州尤金的“E1”以及中国无锡的“HC1”。海力士半导体已经宣布停止“HC1”、“E1”和“M9”工厂的生产,此次又宣布关闭只生产DRAM的M7工厂。该工厂预定于2008年9月底之前关闭。

  最后一个200mm晶圆工厂M8,预定缩小当初计划的月产13万片的生产规模。将专门生产特殊用途的产品。这样,预计09年初,200mm晶圆工厂的总产量将低于该公司总产能的10%以下。与07年底200mm晶圆工厂产量占该公司总产能的50%相比,大幅降低。

  通过关闭200mm晶圆工厂,该公司截至09年初的产能将比08年第二季度减少30%。DRAM的产能为20%,NAND闪存的产能为40%,均有减少。

  海力士半导体将通过把200mm晶圆工厂的生产转移至300mm晶圆工厂来提高技术的先行性和成本竞争力,以强化其大型企业的地位。

 

关键字:海力士  200mm晶圆“M7”DRAM工厂

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200810/article_22469.html
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