东芝:NAND Flash全面转进43纳米制程

2008-09-28 09:56:16来源: DIGITIMES

  为因应NAND Flash产业景气寒冬,以及进入传统淡季后价格进一步重挫,日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前,将制程技术全数转进43纳米,现有56纳米制程将逐步退役,届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者,为2009年初即将来临的淡季潮作准备;反观2大竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分别在51和48纳米制程进度不如预期,尤其是海力士进度大幅落后,更将拉大彼此距离。

  2008年NAND Flash价格一再重挫,完全没有旺季效应可言,之前跌势集中在主流规格8Gb和16Gb芯片,虽然近期逐渐止跌,但现在各界几乎已有共识,未来将轮到32Gb芯片价格作一番调整,跌势可能会集中在高容量芯片。因此,为因应传统淡季来临,NAND Flash大厂已开始作准备,以度过漫长寒冬。

  存储器业者透露,东芝将全面性将制程技术转进到43纳米制程,目前已着手准备,逐步停掉56纳米制程产品,预计到2009年初,几乎可将NAND Flash芯片全部替换成43纳米制程,达成降低成本目标。届时东芝将是全球NAND Flash制程技术最领先者,也是成本最低者,虽然这样成本下降动作,不一定会增加获利,但至少可降低亏损幅度和机率,因为2009年初的传统淡季,大家已有心理准备会超乎预期地淡。

  存储器业者指出,海力士2008年在NAND Flash制程吃足苦头,主要是48纳米制程量产不顺所致,原预期48纳米制程2008年初即应该量产,然卡在良率拉不上来因素,迟无法真正大幅量产,一直拖到现在,离东芝的速度仍有一大段距离,成本也不具竞争力。

  值得注意的是,海力士48纳米制程递延,造成一整个制程世代落后,因此,海力士之前宣布要减产NAND Flash,是不得不的决定,因为在制程技术无法突破下,是多做多赔,不如将重心放在DRAM产品上放手一搏。

  存储器业者指出,现在NAND Flash大厂面对终端需求每况愈下,持续制程微缩以降低成本,已是不二法门,在需求下降、价格下滑及成本降低的追逐赛中,若成本下降速度能追上价格下降幅度,业者就能少亏一点。

 

关键字:东芝  NAND  Flash  43纳米制程

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200809/article_22454.html
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