东芝:NAND Flash全面转进43纳米制程

2008-09-28 09:56:16来源: DIGITIMES

  为因应NAND Flash产业景气寒冬,以及进入传统淡季后价格进一步重挫,日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前,将制程技术全数转进43纳米,现有56纳米制程将逐步退役,届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者,为2009年初即将来临的淡季潮作准备;反观2大竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分别在51和48纳米制程进度不如预期,尤其是海力士进度大幅落后,更将拉大彼此距离。

  2008年NAND Flash价格一再重挫,完全没有旺季效应可言,之前跌势集中在主流规格8Gb和16Gb芯片,虽然近期逐渐止跌,但现在各界几乎已有共识,未来将轮到32Gb芯片价格作一番调整,跌势可能会集中在高容量芯片。因此,为因应传统淡季来临,NAND Flash大厂已开始作准备,以度过漫长寒冬。

  存储器业者透露,东芝将全面性将制程技术转进到43纳米制程,目前已着手准备,逐步停掉56纳米制程产品,预计到2009年初,几乎可将NAND Flash芯片全部替换成43纳米制程,达成降低成本目标。届时东芝将是全球NAND Flash制程技术最领先者,也是成本最低者,虽然这样成本下降动作,不一定会增加获利,但至少可降低亏损幅度和机率,因为2009年初的传统淡季,大家已有心理准备会超乎预期地淡。

  存储器业者指出,海力士2008年在NAND Flash制程吃足苦头,主要是48纳米制程量产不顺所致,原预期48纳米制程2008年初即应该量产,然卡在良率拉不上来因素,迟无法真正大幅量产,一直拖到现在,离东芝的速度仍有一大段距离,成本也不具竞争力。

  值得注意的是,海力士48纳米制程递延,造成一整个制程世代落后,因此,海力士之前宣布要减产NAND Flash,是不得不的决定,因为在制程技术无法突破下,是多做多赔,不如将重心放在DRAM产品上放手一搏。

  存储器业者指出,现在NAND Flash大厂面对终端需求每况愈下,持续制程微缩以降低成本,已是不二法门,在需求下降、价格下滑及成本降低的追逐赛中,若成本下降速度能追上价格下降幅度,业者就能少亏一点。

 

关键字:东芝  NAND  Flash  43纳米制程

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200809/article_22454.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
东芝
NAND
Flash
43纳米制程

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved