德国研究人员推进MRAM技术发展

2008-08-21 09:26:49来源: 电子工程世界

  德国国家物理技术研究院(PTB)的研究小组,在物理层面上,已经实现了在磁介质中理论上最高速度的转换处理。这样,磁性随机存储器就能够达到同类电子存储器的速度。

  当今盛行的电脑存储芯片,DRAM和SRAM的最大的缺点就是:不稳定。一旦断掉电源,里面的存储数据也随之丢失。而MRAM恰恰弥补了这一缺点,它是通过存储单元的磁极,而不是传统的电荷进行数据存储。通过给它一个正向或负向的电流脉冲,将0、1写入存储单元。最新一代的MRAM,利用转矩(spin-torque)效应,能够保证很高的记忆密度。 因此,全世界的研究人员都在研究这种存储器的技术解决方案。


  当给转矩存储单元添加电流脉冲时,就会使具有磁性磁化开始旋转。目前,要使存储单元中的信息进行稳定转换,就必须添加脉冲。这样,写入过程就只需要10纳秒左右。


  PTB的实验已经证明,MRAM存储单元旋转一次就能写入一比特的数据。该实验室还表示:瑞克(Braunschweig)的研究人员,通过恰当的电流脉冲参数和低密度静态磁场的结合,已经实现了他们所谓的“弹道转换”(ballistic switching),很明显选择恰当的电流脉冲参数最为关键。


  研究人员表示,通过弹道转换,MRAM的写入圈数可以达到1纳秒以下。抛开SRAM不稳定性的缺点,在技术实现方面,MRAM可以与现在最快的SRAM相媲美。


  MRAM( Magnetic Random Access Memory)是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与 FLASH雷同;而 “随机存取”是指中央处理器读取资料时,不一定要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。

  MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方向为依据,存  储为 0或 1。它存储的数据具有永久性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。它的速度与我们 PC所使用的内存相比更接近使用 GMR技术的,一般都有 25至 100n s,它拥有静态随机存储器( Static Random Access Memory, SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器( Dynamic Random Access Memory, DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

关键字:德国  MRAM

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200808/article_22064.html
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