恒忆与海力士:NAND闪存合作将延长5年

2008-08-19 10:18:45来源: 日经BP社

  瑞士恒忆(Numonyx B.V.)和韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)于2008年8月6日宣布,就两公司NAND闪存升级产品和技术开发合作计划延长5年达成了意向。根据此意向,两公司将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围,并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化。

  恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示,“凭借与海力士半导体的专业技术互补,将会提高我们在无线领域NAND闪存的竞争力”。

  同时,两公司还宣布将进行手机用移动DRAM的合作。将合作开发多芯片封装(MCP)中与非易失性内存同时配备的移动DRAM。目前,两公司正在中国进行使用300mm晶圆生产低耗电移动DRAM的合作。通过这项合作,两公司可提供成本更低、耗电更少的MCP产品。

  韩国海力士半导体于2008年4月曾推出了符合LPDDR2(低功耗DDR2)规格的1GB移动DRAM。

 

关键字:恒忆  海力士  NAND闪存

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200808/article_22043.html
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