恒忆与海力士合作开发新型NAND闪存技术

2008-08-08 11:11:21来源: Idnews

  Hynix Semiconductor Inc.和Numonyx B.V.宣布签署为期五年的协议,将拓展其在快速增长的NAND闪存领域的共同开发项目。两家公司将扩大NAND产品线,并推出未来产品和实现技术创新,从而应对未来五年NAND技术所面临的挑战。
  
  根据新协议,Hynix和Numonyx将扩大共同开发项目的规模,以提供领先的NAND存储技术和产品,并进行资源整合以促进未来NAND技术和解决方案的开发。他们还将合作开发用于手机多芯片封装的移动DRAM。
  
  Hynix董事长兼首席执行官Jong-Kap Kim说:“要想在快速发展的半导体行业中取得成功,通过利用双方优势,共同而非独立地解决技术问题能降低风险。未来共同技术开发将成为我们合作当中的关键成功因素,通过在产品、软件和控制器领域的系统的共同开发,将重点放在新产品的推出上,我们预计将在开发内存解决方案方面实现巨大进展。Hynix和 Numonyx将利用最先进的技术共同开发一系列产品,从而使两家公司在NAND领域实现共赢。我们现在拥有全球最广泛的NAND设计社区,随着我们现在和将来致力于共同开发全新的NAND存储解决方案,我们期待获得持续成功。”
  
  Numonyx总裁兼首席执行官Brian Harrison说:“未来五年内在NAND领域实现成功和增长将需要一系列独特的能力,我们相信与Hynix的携手合作能赋予我们这种实力。通过结合我们的专业资源、工程活动和Hynix对成本驱动的绝对关注,我们认为将获得最先进的技术、经济高效且可升级的生产、行业领先的存储系统“知识”并迅速在市场上推出系统级NAND解决方案。Hynix与我们互补的专业技术势必将强化我们在NAND行业的地位,尤其是在无线领域。”
  
  随着技术向越来越小的制造光刻节点发展,生产NAND存储器日趋复杂。电荷捕获设备NAND将有望取代目前主流的浮NAND技术,而Numonyx在基于 NOR Flash技术方面的经验应该非常有助于这种发展趋势的演进。此外,存储供应商必须在未来五年中更深入的了解设备物理性质和整体存储系统级解决方案,以应对挑战。
  
  有效利用Numonyx的软件专业知识将有助于开展此项工作,并在市场渗透以及增加microSD、eMMC及SSD等集成NAND解决方案的市场份额方面产生积极影响,。Hynix与Numonyx之间的协同效应,加上Numonyx 40年来解决艰巨非易失性存储器挑战的传统,以及开发固件、微控制器和其他系统解决方案方面的经验将成为帮助解决从原料硅到系统的NAND技术迁移之限制的关键因素。
  
  除了在NAAD方面开展合作外,两家公司目前还正在开展一项共同制造计划——在中国无锡的合资企业生产300毫米的低功率移动DRAM。两家公司都在移动设备解决方案中使用了通常与非易失性存储器一起堆栈在多芯片封装中的移动DRAM。移动DRAM上的合作将使两家公司向需要小型化应用产品的客户提供更经济高效、低功率的多芯片存储子系统。随着在4月份推出全世界最快的1 Gb LPDDR2产品,从产品多样化、技术领导地位、绩效和与支持单芯片解决方案的SDR/DDR界面的兼容性来看,Hynix现在已经成为移动DRAM产品的行业领导者。

关键字:Numonyx  Hynix  NAND闪存

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200808/article_21956.html
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