内存市场不断进化 潜力待充分挖掘

2008-06-03 14:03:50来源: 国际电子商情
      利用目前的制程工艺,DRAM电容器与闪存存储单元的尺寸已接近物理极限,难以进一步缩小。因此,内存制造商投入更多的精力开发DRAM和闪存以外的另类内存解决方案。面向特定用途的几种不同的专用内存目前已经可供使用。虽然这些新产品近期都不太可能挑战批量产品,但至少都有提供以下特点的可能性:以低功耗快速读写;非易失性,具有较长的数据保持时间与循环寿命;较小的单元尺寸。

     磁阻RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)和相变RAM(PCRAM)是人们讨论最多的DRAM和闪存替代方案。相对于目前的DRAM和闪存,上述技术都有自己的优势,但从成本或技术角度来看,也存在一些缺点。

      电阻RAM ReRAM/RRAM是另外一种可能的选择。富士通(Fujitsu)、英特尔(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究这种技术。这些厂商相信,ReRAM将比闪存快100倍,而尺寸将优于相变RAM或MRAM等其它先进内存。

      碳纳米管(CNT)技术也大有前途。近期内这种技术可能用于系统内存,长期可能用于复杂的逻辑器件。纳米管RAM(NRAM)单元利用几个悬在金属电极上面的CNT制成。当在纳米管上面施加一个微弱的偏压时,纳米管就向着电极的方向“下垂”,直到接触为止。此时纳米管被视为处于逻辑1状态。当取消偏压之后,纳米管脱离电极,逻辑状态恢复为零。NRAM的优点包括具有SRAM的速度、密度远高于DRAM、功耗低于DRAM和闪存。另外,它不怕恶劣环境,而且具有很好的缩微性。

      此外,最近厂商宣布的“memristor”(记忆电阻),可能是内存供应商为创造一种通用内存而渴望的技术突破。memristor是一种电路元件,在尺寸缩小过程中可以改善性能。

      市场调研公司IC Insights坚信,内存市场(尤其是DRAM)是进化性的,而不是革命性的。在必须转向纳米管、PCRAM或MRAM等另类内存技术之前,内存供应商将继续充分挖掘现有技术/架构的潜力。迄今为止,没有一种另类内存能够提供具有足够诱人的解决方案,使之优于现有的内存。

关键字:DRAM  电容器  磁阻RAM  铁电RAM  相变RAM

编辑:吕海英 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200806/article_21306.html
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