锁定新一代DRAM,奇梦达与尔必达联手

2008-05-06 10:26:45来源: 电子工程专辑

  奇梦达(Qimonda)与尔必达(Elpida)日前签定共同开发技术合作意向书,将联手开发新一代的存储器芯片(DRAM)。在此项合作计划,奇梦达将提供其Buried Wordline的关键技术,尔必达则将提供其堆迭技术。

  此项策略技术合作将可结合两家公司的力量,加速在DRAM 4F2 cell尺寸产品蓝图的发展。两家公司计划将在2010年推出此共同开发、达到堆迭技术世代的创新4F2 cell概念,未来并将进一步推展至30纳米世代。

  奇梦达公司总裁暨执行长罗建华表示:“此项与尔必达的策略合作是对我们Buried Wordline技术的最大肯定,奇梦达并希望藉由此项合作关系加速小尺寸4F2 cell的推出。”

  尔必达社长暨执行长本幸雄(Yukio Sakamoto)表示:“我们在研发上持续的努力,使我们能够在DRAM技术上保持领先。在目前既艰困又高度竞争的市场环境下,更快及更有效能的研发新技术愈趋重要。”

  两家公司计划共同发展技术平台及设计规范,以促成产品交换及合资生产的可行性。双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂,密切合作研发计划,包括双方工程师的互换交流。此外,双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via)及未来存储器的领域中,寻求共同发展的机会。

  继日前的合作意向书后,奇梦达及尔必达预计于适当的时间内,完成相关协商及确认合约细节。

关键字:堆叠  存储器  芯片  纳米  直通硅晶穿孔技术

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/memory/200805/article_21008.html
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