3-D存储器芯片堆栈标准化 有望替代DDR内存

2008-07-16 14:08:02来源: 电子工程专辑 

  由3D-IC联盟发起的存储器互连标准(IMIS,IntimateMemoryInterconnectStandard)最近宣布其用于3-D堆栈存储器芯片的官方标准。

  该联盟的发起成员TezzaronSemiconductorCorp.(Naperville,Ill.)和Ziptronix,Inc.(Morrisville,N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片,预期将在2008年底推出首款产品。   

  Tezzaron公司CEORobertPatti称,“现在的高速处理器内核要求具有非常高带宽的3-D互连,现有的以及一定时间内的DDR存储器技术是不能满足这一要求的”。   

  通过堆栈存储器裸片和处理器,两者的“亲密连接“使每个引脚的功耗约为24微瓦,而DDR每个引脚的功耗为30-40毫瓦。依据IMIS的标准,处理器和存储器之间1,000个引脚并行连接的功耗被限制在低于3W,而传统的互连功耗超过了30W。   

  “我们相信IMIS解决了处理器制造商们要实现上G存储时的带宽问题,访问我们的DRAM的典型时间为7奈秒”,Patti称,“我们接近了DRAM的密度和SRAM的速度并提供比DRAM有竞争力的成本。”   

  IMIS端口尺寸为450×2,000微米,含有一个19单元(高)×80单元(宽)的针脚格,每个单元面积为25平方微米。处理器制造商正调整他们的裸片,包括添加一个IMIS端口,用于兼容来自3D-IC联盟(3D-IC联盟目前有包括约6位成员)不同成员的存储器芯片。  

关键字:3-D存储器芯片  DDR内存

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/market/200807/article_21709.html
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