碳纳米管导线扮推手 芯片速度创高峰

2008-07-10 10:38:55来源: 金融界网站

  芯片工艺技术进程在2011年前,即可能遭遇瓶颈。相对纳米科技已开始介入处理器、存储器…等芯片工艺,凡小于100纳米(nanometer)的零组件产品,都可以看见它们的身影。

  基本上,芯片中的铜导线有其物理极限,所以芯片商需要借碳纳米管在硅芯片上布线,然而布线空间和晶体管集中度有关。直到史丹佛大学与ToshibaRD推出1GHz碳纳米管互联CMOS电路后,纳米芯片工艺问题才获得缓解。

  业者表示,具有11,000个晶体管芯片,拥有256个环形振荡器,RD在设计芯片时,每个振荡器都留有未连接位置,因此芯片还需要借纳米管与振荡器连接,每个纳米管直径为50至100纳米。

  纳米管必须和19个环形振荡器连接,并以1.02GHz频率传输0和1讯号。其中19个环形振荡器中有16个能以800MHz以上的速度运行。芯片(芯片面积约为1/100平方英寸)中有1个missingconnection环形振荡器阵列,它透过纳米管材质取代传统铜线完成电路铺陈,RD最终目标是以1纳米直径的单壁纳米管代替多壁纳米管。

  为简化环形振荡器运作流程,多任务电路(multiplexingcircuitry)让每个环形振荡器都得以被搜巡。芯片表面会借液体浮力,让数千个纳米管漂浮于芯片上,同时向环形振荡器提供交流电(AC),以吸引漂浮中的纳米管精准对上电路中的缝隙,当纳米管嵌入桥接缝隙时,原供给环形振荡器的交流电就会被自动切断,再经芯片表面干燥,整个芯片电路即告铺设完成。

 


 

关键字:碳纳米管导线

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/market/200807/article_21678.html
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